一、基础知识
（一） 跨导电流效率
表示为跨导和漏极电流的比值，表现为单位漏极电流可以转换的电导。该值越大，mos管的精度越高。
（二） 截止频率
称为截止频率或者特征频率，可以用 代指，表现为mos管0dB时输入信号的频率。该值越大，mos管的速度越快。
由 ，，，
则可以得到 。
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二、理论分析
1. ，则跨导电流效率随着过驱动电压的增大而减小。
2. ，则截止频率随着过驱动电压的增大而增大。
分析：我们希望 越大越好， 越大越好，但是过驱动电压却导致他们一个增大一个减小。所以我们可以选取一个过驱动电压，使得mos管的 最大，则此时的过驱动电压就完成了mos管精度与速度的折衷。
我们可以通过 的值来评估我们的过驱动电压的好坏。
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三、仿真分析
仿真的电路如下图所示。
将栅源电压 设置成一个变量进行直流扫描，然后对mos管的参数进行分析。
1.横坐标为 ，纵坐标为 。得到如下结果。
分析，可以看到当 取值为100mV时，纵坐标取得最大值。
2.横坐标为 ，纵坐标为 。得到如下结果。
首先从书本上我们学习到了过驱动电压 ，但是这是理想的状况，在实际的过程中，由于存在二级效应的影响，导致这三个值并不是完全相等的。
分析：从仿真结果可以看到这三个值不是相等的。
我们使用 作为横坐标继续仿真。
可以看到当其值取到240mV时，取到最大值。
3.横坐标为 ，纵坐标为 ，仿真结果如下图所示。
分析： 的取值在8~9之间较好。
4.分析当mos管的栅长发生变化时，这个最佳过驱动电压的取值的变化情况。
横坐标为，纵坐标为 ，改变栅长重复扫描，得到如下结果。
分析：当栅长该改变时，最佳的过驱动电压取值不变，为100mV。
学习视频：Why Vdsat=200mV in 180nm CMOS_哔哩哔哩_bilibili
本人目前大四，研究生转专业到集成电路，正在学习相关知识，欢迎各位批评指正，谢谢！